Có một số phương pháp có thể sử dụng khi kiểm tra hạt từ tính. Dòng điện xoay chiều (AC) được sử dụng để phát hiện các khuyết tật bề mặt, trong khi dòng điện chỉnh lưu và dòng điện một chiều (DC) được sử dụng khi các khuyết tật có khả năng nằm dưới bề mặt.
Khả năng phát hiện các khuyết tật dưới bề mặt và giới hạn phát hiện khuyết tật là một chủ đề gây tranh cãi và phụ thuộc vào nhiều yếu tố, trong đó quan trọng nhất là môi trường thử nghiệm. Ví dụ, các khuyết tật được phát hiện trong phòng thí nghiệm được thiết lập trên một mẫu lý tưởng gần như chắc chắn sẽ không giống như việc phát hiện khuyết tật hàn giữa trưa hè oi bức. Cùng với đó, kích thước và hướng của khuyết tật dưới bề mặt cũng có thể ảnh hưởng tới khả năng phát hiện vì sự rò rỉ từ thông trên bề mặt sẽ thay đổi.